Ведущие интернет-СМИ Российской Федерации подготовили пресс-релизы о новых результатах научной группы профессора О.Е. Глуховой

Журнал Materials (Q1 по данным JCR Web of Science) издательства MDPI опубликовал результаты исследований научного коллектива профессора Ольги Евгеньевны Глуховой, направленные на получение новых знаний об электронных и электропроводных свойствах ван-дер-ваальсовых 2D гетероструктур.

Ван-дер-ваальсовые вертикальные гетероструктуры представляют собой гибридные материалы, составленные из чередующихся слоев различных кристаллов аналогично деталям конструктора lego. Слои в составе таких гетероструктур удерживаются вместе силами ван-дер-Ваальса или силами межатомного взаимодействия.  В настоящее время, сочетание 2D материалов атомарной толщины с различным типом проводимости (металл, полупроводник, диэлектрик) в виде ван-дер-ваальсовых гетероструктур является эффективным подходом к конструированию электронных устройств с заданными характеристиками, в частности полевых транзисторов и фотодиодов. Ключевым элементом подобных устройств является контакт металл-полупроводник с барьером Шоттки. В статье Novel Van Der Waals Heterostructures Based on Borophene, Graphene-like GaN and ZnO for Nanoelectronics: A First Principles Study рассматривается возможность реализации контакта металл-полупроводник на базе новых конфигураций ван-дер-Ваальсовых гетероструктур, образованных 2D-монослоем борофена с металлической проводимостью в сочетании с графеноподобными полупроводниковыми монослоями нитридом галлия (GaN) и оксидом цинка (ZnO). Были построены атомные модели ван-дер-ваальсовых гетероструктур борофен/GaN и борофен/ZnO и методами компьютерного моделирования осуществлено прогнозирование их структурных, электронных и электрических свойств. Показано, что предложенные конфигурации гетероструктур термодинамически стабильны и характеризуются отсутствием в электронной структуре энергетической щели между валентной зоной и зоной проводимости. Выявлен физический эффект переноса заряда с монослоя борофена на монослои GaN и ZnO, который предопределяет ключевую роль борофена в формировании особенностей электронного строения ван-дер-ваальсовых гетероструктур борофен/GaN и борофен/ZnO. Результаты расчета вольт-амперных характеристик (ВАХ) показывают, что для исследуемых гетероструктур характерно физическое явление анизотропии тока: ток вдоль зигзагообразного края монослоев ZnO/GaN в пять раз больше, чем вдоль края кресла этих монослоев. Обнаруженный эффект анизотропии тока может быть использован при реализации полевых транзисторов с проводящим каналом на базе ван-дер-ваальсовых гетероструктур tr-B/GaN и tr-B/ZnO. Исследования выполнены в рамках гранта РНФ 21-72-00082 (руководитель - доцент кафедры радиотехники и электродинамики М.М. Слепченков).

Пресс-релизы с информацией о полученных результатах проведенных научных исследований выпустили ряд ведущих интернет-СМИ РФ, включая информационные порталы «РИА Новости», «Газета.Ru», Агрегатор студенческих СМИ «НОС»:

https://ria.ru/20220824/sgu-1811620147.html

https://www.gazeta.ru/tech/news/2022/08/25/n_18404096.shtml

https://studentsmi.ru/agregator-studencheskih-smi/

https://rscf.ru/news/presidential-program/rossiyskie-uchenye-smodelirovali-geterostruktury-s-uluchshennym-analogom-grafena/

X
Predictive multiscale modeling in life sciences and sphere of high technologies